STP10P6F6
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP10P6F6 datasheet
-
МаркировкаSTP10P6F6
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP10P6F6 Configuration: Single Continuous Drain Current: 10 A Drain-source Breakdown Voltage: 60 V Fall Time: 10 ns Gate Charge Qg: 7 nC Gate-source Breakdown Voltage: 20 V Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 35 W Resistance Drain-source Rds (on): 0.18 Ohms Rise Time: 7 ns Rohs: yes Transistor Polarity: P-Channel Typical Turn-off Delay Time: 16.5 ns RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.18 Ohms Typical Turn-Off Delay Time: 16.5 ns Lifecycle Status: Active Alternative: ST MICRO STP10P6F6,STM STP10P6F6,SGS STP10P6F6,SGS THOMSON STP10P6F6,WSI STP10P6F6,THOMSON STP10P6F6,INMOS STP10P6F6,ST8 STP10P6F6,WAFERSCALE STP10P6F6,SGS THOMPSON STP10P6F6,SESCOSEM STP10P6F6,STMICR STP10P6F6,THOMS STP10P6F6,SGS-ATES STP10P6F6,ST MICROELECTRONICS SEMI STP10P6F6,ST/SGS STP10P6F6,SGST STP10P6F6,FAROUDJA STP10P6F6,WAFERSCALE INTEGRATION INC STP10P6F6,STMicroelect STP10P6F6,ST MIC STP10P6F6,STMICROE STP10P6F6,SGS/ST STP10P6F6,SGS THOMP STP10P6F6,STMICROEL STP10P6F6
-
Количество страниц9 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
05.06.2024
04.06.2024
03.06.2024